Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток). При определённой силе управляющего тока, как бы «открывается клапан» и ток с коллектора начинает течь на третий вывод (эмиттер).

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. 

Спецификация:

• Тип транзистора: MOSFET;
• Полярность: N;
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 Вт;
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 В;
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В;
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 В;
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 А;
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C;
• Общий заряд затвора (Qg): 170 nC;
• Время нарастания (tr): 100 ns;
• Выходная емкость (Cd): 1300 пФ;
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ом;
• Тип корпуса: TO247AC.